光刻膠與紫外線的關(guān)系
?紫外光深入?yún)⑴c了半導(dǎo)體制造過程中光刻膠的曝光步驟。曝光工藝是將光刻膠曝光并將設(shè)計的圖案轉(zhuǎn)移到基板上的重要步驟。紫外線改變光刻膠的分子結(jié)構(gòu)并改變曝光區(qū)域的溶解度，形成電路圖案。用于曝光的紫外線有多種波長，但常用的是以下類型：
- i線(365 nm)：當(dāng)不需要非常精細(xì)的圖案時使用。
- KrF 線 (248 nm)：適合需要高分辨率的情況。
- ArF線(193 nm)：需要更高分辨率時使用。
- 極紫外 (13.5 納米)：采用尖端微加工技術(shù)，實現(xiàn)極高的分辨率
紫外線的波長越短，可以形成的圖案分辨率越高。